GaSe 셀레늄화 갈륨 결정(Gallium Selenide)

다른 소스와 달리, 우리의 GaSe 결정은 2D 재료 분야의 전자 및 광학 응용 프로그램에 가장 적합합니다.우리의 GaSe (갈리움 셀레나이드) 결정은 세 가지 다른 성장 기술, 즉 Bridgman 성장, 화학 증기 운송 (CVT) 및 유량 지역 성장을 통해 합성되었습니다. 곡물 크기를 최적화하고 결함 농도를 줄입니다.큰 곡물 크기와 통제된 결함으로 간단한 높높큰큰큰 큰큰 큰 큰 곡물 크기와 통제된 결함으로 단순한 큰큰 큰 큰큰큰 큰 큰큰큰 큰 큰큰큰 곡물 크기와 통제된 결함으로써 단순한 큰큰 큰기본적으로 2Dsemiconductors USA는 Bridgman 성장 GaSe 결정을 0001 방향으로 잘라 기기기기기본적으로 기기기본적으로 기기기본적으로 기기기기본적으로 기기기기본적으로 기본기본적으로 2Dsemiconductors USA는 기본기본적으로그러나, 당신의 연구에 CVT 또는 유량 지역 성장 GaSe가 필요하다면 체크아웃 중에 메모를 남기십시오.
vdW GaSe 결정의 특성 - 2Dsemiconductors USA

성장 방법 중요한> 유량 지역 또는 CVT 성장 방법?계층 결정에 있는 할라이드와 점 결함의 오염은 전자 이동성 감소, 다양성 반응 감소, 가난한 e-h 재조합, 낮은 PL 배출 및 낮은 광학 흡수의 잘 알려진 원인입니다.유동 지역 기술은 진정한 반도체 등급 vdW 결정을 합성하는 데 사용되는 하라이드 무료 기술입니다.이 방법은 화학 증기 운송 (CVT) 기술과 다음과 같이 구별됩니다: CVT는 빠른 (~2 주) 성장 방법이지만 결정성 품질이 나쁜 것을 보여주고 결함 농도는 1E11에서 1E12 cm-2 범위에 도달합니다.반대로, 유량 방법은 긴 (~ 3 개월) 성장 시간이 걸리지만 완벽한 원자 구조를 위해 느린 결정화를 보장하고 결함 농도가 1E9 - 1E10 cm-2만큼 낮은 불순 무료 결정 성장을 보장합니다.체크아웃 중에 어떤 유형의 성장 프로세스가 선호되는지 지정하십시오.달리 명시되지 않는 한, 2Dsemiconductors는 기본 선택으로 유류 영역 결정을 배송합니다.

1. 나노전자학 및 광전자학 저널 Vol. 7, 1-3, 2012
2. ACS 나노, 2012, 6 (7), 5988-5994 페이지