- 이메일
-
전화
13761090949
-
주소
상해시 홍구구 보산로 778호 헬렌국제빌딩 5층
개요
간략한 설명: 셀레늄화 게르마늄 결정 GeSe(Germanium Selenide) 결정 크기: ~10mm 전기학 성능: 반도체 결정 구조: 사방 결정 파라미터: a = 0.383nm, b = 0.440nm, c = 1.078nm, α = 베타 = 감마 = 90#176;결정 유형: 합성 결정 순도: > 99.995%
제품 정보
硒化锗晶体 GeSe (제르마제제제제르만 셀레니드)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数：a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%
(100) 평면을 따라 정렬된 GeSe 단일 결정의 X선 회전.XRD는 D8 벤처 브루커를 사용하여 실온에서 수행되었습니다.4개의 XRD 피크는 왼쪽에서 오른쪽으로 h = 2, 4, 6, 8의 (h00)에 대응합니다.
단일 결정 GeSe의 분말 X선 회전 (XRD).X선 회전은 D8 벤처 브루커를 사용하여 실온에서 수행되었습니다.
에너지 분산 X선 분광학(EDX)으로 단일 결정 GeSe의 스토이치오메트릭 분석
단일 결정 GeSe의 라만 스라라프트럼.측정은 실온에서 785 nm 라만 시스템으로 수행되었습니다.
