저온 플라즈마 배기 청정기

저온 플라즈마 정화기는 저온 플라즈마 폐기 정화기라고도 한다.이 공정은 독립적이고 혼합된 세 개의 자극 시스템으로 나뉜다: 마이크로파 자극 구역, 플라스마 자극 구역, 극판 자극 구역.각 자극 영역은 특정한 기능을 가지고 있지만 원리적으로는 비슷한 점이 있다.

1. 저온 플라즈마 정화기 마이크로파 자극 구역

이 공정에는 3~9개의 마이크로파 자극 단위가 있는데, 피처리 풍량의 다른 수량에 따라 마이크로파는 그 주파수가 상대적으로 높기 때문에 나노초의 시간 내에 피처리 공간 (구역) 에 효과적으로 작용한다. 마이크로파의 출력이 상대적으로 작기 때문에 자극 능력, 즉 전자의 에너지 획득 약진 능력에 한계가 있다. 본 설계는 마이크로파를 초주파수 자극원으로 하고 처리 과정에서 일종의 예비 자극 에너지로 한다.마이크로파의 예격 기능으로 인해 플라스마 구역, 극판 구역의 자극 능력과 처리 효과를 크게 향상시켰다. 마이크로파 기술의 운용으로 인해 본 공예는 동종 설비의 비교에서 설비가 정련되고 효과가 우수하다.

2. 저온 플라즈마 정화기 이온체 자극

이 공예에는 특수한 기체를 충전한 40개에서 240개의 무극관으로 구성된 저온 플라즈마 자극구역이 있다. 본 공예는 저기압의 무극등을 빌어 저온 플라즈마의 자극체로서 무극관구에서 저온 플라즈마 구역을 최대한 실현한다. 저온 플라즈마는 에너지 약진 과정에서 매우 강한 에너지 균형성을 가지기 때문에 입자 충돌에서 에너지를 거의 잃지 않는다.

3. 저온 플라즈마 정화기 극판 구역

처리된 기체의 유량에 근거하여 극판간의 전압은 12KV, 16KV~42KV로 나뉘며 극판간에는 충분히 높은 전압을 가하며 바람을 끌어들이는 작용하에 극구역은 음압의 작용으로 하여 패러데이암구역리론, 광치전리론, 자유리론에 따라 상압 또는 상압에 가까운 조건에서 상당한 확률의 립자가 저온의 플라즈마를 실현할수 있다.

세 가지 기능 영역에 따르면 집중의 목적은 저온 플라즈마를 실현하는 것이다. 이론과 실제 사용 조건의 차이로 인해 단일한 방법으로 저온 플라즈마를 얻는 것은 출력, 외부 조건에서 모두 차이가 있다.이 공예는 세 가지 기술과 일체화되어 있으며, 원폐기의 제거율은 매우 이상적이며, 고농도 폐기 제거율은 84% 이상에 달한다.

전기 촉매 산화 공정은 저온 플라즈마, 마이크로파 방전, 극판 방전과 일체화되어 있으며, 실제 사용 중 폐기의 효과적인 처리를 실현하는 것은 매우 복잡한 과정이며, 전체 과정은 1초도 안 되는 시간 내에 완성된다.이론부터 모델까지 관련 기리를 탐구할 수 있다. 세 가지 방식의 집중 방전을 통해 배기가스 분자는 저에너지 E에서 1000분의 1초 만에 이온화할 수 있는 Em급으로 약진한다. 배기가스 분자 키는 충분히 끊어진다. 눈사태식 충돌에서 끊어진 입자는 질량이 더 작아 더 약진한다. 원자로 내의 산소 이온과 반응하여 무해하고 COO가 생성된다.이와 동시에 원자로내의 오존 및 자외선의 작용으로 부동한 범주의 페기화합물을 철저히 제거하여 실제에서 비교적 넓은 스펙트럼의 제거공간을 확보하였다.

오염물 제거 기능

플라즈마 화학 반응 과정에서 플라즈마가 화학 에너지를 전달하는 반응 과정에서 에너지의 전달은 대체로 다음과 같다.

(1) 전장+전자→고에너지 전자

(2) 고에너지 전자+분자(또는 원자)→(자극원자, 자극기단, 유리기단) 활성기단

(3) 활성기단+분자(원자)→생성물+열

(4) 활성기단+활성기단→생성물+열

이상의 과정에서 볼 수 있듯이, 전자는 먼저 전장에서 에너지를 얻고, 자극 또는 이온화를 통해 에너지를 분자 또는 원자로 옮기고, 에너지를 얻은 분자 또는 원자가 격발되며, 동시에 일부 분자가 이온화되어 활성 기단이 된다;이후 이런 활성기단과 분자 또는 원자, 활성기단과 활성기단 사이에 서로 충돌한 후 안정된 산물과 열을 생성한다.또 고에너지 전자도 할로겐과 산소 등 전자친화력이 강한 물질에 포획돼 음이온이 된다.이런 종류의 음이온은 매우 좋은 화학 활성을 가지고 있으며, 화학 반응에서 중요한 역할을 한다.